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Datasheet > SI4425DDY-T1-GE3
SI4425DDY-T1-GE3 PDF预览

SI4425DDY-T1-GE3

更新时间： 2024-01-24 22:06:45
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 192K
描述
TRANSISTOR 13000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4425DDY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.64配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19.7 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.0098 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4425DDY-T1-GE3 数据手册

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Si4425DDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
I
D (A)a  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
0.0098 at VGS = 10 V  
0.0165 at VGS = 4.5 V  
•
•
- 19.7  
- 15.2  
- 30  
27 nC  
APPLICATIONS  
•
Load Switches  
- Notebook PCs  
- Desktop PCs  
SO-8  
S
S
S
S
G
D
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
G
Top View  
D
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4425DDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
- 19.7  
- 15.7  
- 13b, c  
- 10.4b, c  
- 50  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
- 4.7  
- 2.1b, c  
Continous Source-Drain Diode Current  
5.7  
3.6  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
2.5b, c  
1.6b, c  
- 55 to 150  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
Typical  
35  
Maximum  
Unit  
RthJA  
RthJF  
t ≤ 10 s  
Steady State  
50  
22  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
18  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 64732  
S09-0314-Rev. A, 02-Mar-09  
www.vishay.com  
1
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SI4425DDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4427BDY-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4425BDY-T1-E3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4425DY FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
SI4425DY VISHAY

获取价格

 		Transistor,
SI4425DY UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
SI4425DY_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
SI4425DYD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
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 		Transistor,
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