SI4429EDY

更新时间： 2024-02-02 04:04:41

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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5页	41K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4429EDY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI4429EDY 数据手册

Si4429EDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D V_GSSurge Protection to 18 V

D ESD Protected: 4000 V

APPLICATIONS

0.0105 @ V = –10 V

–13.0

–12.0

–9.0

–30

0.0125 @ V = –4.5

0.0195 @ V = –2.5

D Battery Switch

D Load Switch

SO-8

5.5 kW

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–30

"12

= 25_C

= 70_C

–9.4

–7.5

–13.0

–10.0

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

–50

continuous Source Current (Diode Conduction)

–2.5

3.0

–1.3

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.9

0.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 70709

S-04712—Rev. A, 24-Sep-01

www.vishay.com

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