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SI4431ADY-E3

更新时间: 2024-09-13 19:35:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 46K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

SI4431ADY-E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.25
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):5.3 A最大漏源导通电阻:0.03 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SI4431ADY-E3 数据手册

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Si4431ADY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.030 @ V = –10 V  
"7.0  
"5.0  
GS  
–30  
0.055 @ V = –4.5  
GS  
V
S
S S  
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
D
D
D D  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
–30  
DS  
V
"20  
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
"5.3  
"4.2  
"7.0  
"5.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
"30  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
–2.1  
2.5  
–1.3  
1.35  
0.87  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.6  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
38  
71  
19  
50  
92  
25  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71099  
S-03467—Rev. B, 09-Apr-01  
www.vishay.com  
1

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Updated pin 6, ANT1 to ANT
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