SI4431BDY

更新时间： 2024-09-12 22:43:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	48K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4431BDY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI4431BDY 数据手册

Si4431BDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.030 @ V

= -10 V

-7.5

-5.8

-30

0.050 @ V = -4.5

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"20

= 25_C

= 70_C

-5.7

-4.6

- 7.5

- 6.0

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-30

continuous Source Current (Diode Conduction)

-2.1

2.5

1.6

-1.2

1.5

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72092

S-22437—Rev. A, 20-Jan-03

www.vishay.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SI4431BDY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4431BDY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4431BDY-T1	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4431BDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4431BDY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4431CDY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4431DY	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI4431DY_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4431DYD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4431DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor,
SI4431DYL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal