是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.81 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.9 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4433DY-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SI4433DYT1 | VISHAY |
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TRANSISTOR 2900 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOP-8, FET General Purpose | |
Si4434ADY | VISHAY |
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N-Channel 250 V (D-S) MOSFET | |
SI4434DY | VISHAY |
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N-Channel 250-V (D-S) MOSFET | |
SI4434DY_05 | VISHAY |
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N-Channel 250-V (D-S) MOSFET | |
SI4434DY-E3 | VISHAY |
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N-Channel 250-V (D-S) MOSFET | |
SI4434DY-RC | VISHAY |
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R-C Thermal Model Parameters | |
SI4434DY-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 250-V (D-S) MOSFET | |
SI4434DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SI4435BDY | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |