是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4435BDY-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4435BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
SI4435DDY | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4435DDY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
SI4435DDY-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4435DY | FAIRCHILD |
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30V P-Channel PowerTrench MOSFET | |
SI4435DY | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm | |
SI4435DY | ONSEMI |
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30V P 沟道 PowerTrench® MOSFET -8.8A,20mΩ | |
SI4435DY | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
SI4435DY | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |