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SI4435DY

更新时间： 2024-09-16 18:06:23

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P-Channel MOSFET

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SI4435DY 数据手册

SMD Type

MOSFET

Transistors

P-Channel MOSFET

SI4435DY (KI4435DY)

SOP-8

■ Features

● VDS=-30V

● R^DS(on)=0.02Ω@VGS=-10V

● R^DS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V

0.15

1.50

Top View

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

V^DS

V^GS

I^D

Rating

-30

Unit

Gate-Source Voltage

±20

-8.8

-50

-15

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I^DM

Avalanche Current with Single Pulse(L=0.1mH)

Avalanche Energy with Single Pulse(L=0.1mH)

Maximum Power Dissipation

Maximum Junction-to-Ambient

IAS

E^AS

P^D

2.5

R^thJA

T^J, Tstg

℃/W

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

℃

www.kexin.com.cn

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