是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, SOP-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.24 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MS-012AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7101TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SI4435DYTRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IRF7416PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4435DY-REVA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
SI4435DY-T1-A-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor | |
SI4435DY-T1-REVA | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, | |
SI4435DYTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
Si4435FDY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI4435FDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
SI4436DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI4436DY | INTERSIL |
获取价格 |
ISL6844 Reference Design: ISL6844EVAL3Z | |
SI4436DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI4436DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |