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SI4435BDY-E3

更新时间： 2024-11-19 21:15:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4435BDY-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.66
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4435BDY-E3 数据手册

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Si4435BDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Advanced High Cell Density Process  
APPLICATIONS  
0.020 @ V = -10 V  
-9.1  
-6.9  
GS  
-30  
0.035 @ V = -4.5  
GS  
V
D Load Switches  
D Battery Switch  
S
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
D
Top View  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4435BDY  
Si4435BDY-T1 (with Tape and Reel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-30  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
-7  
-9.1  
-7.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
-5.6  
A
Pulsed Drain Current  
I
-50  
DM  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-2.1  
2.5  
-1.25  
1.5  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.6  
0.9  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
40  
70  
18  
50  
85  
22  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1 ” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72123  
S-31990—Rev. B, 13-Oct-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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与SI4435BDY-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4435BDY-T1 VISHAY

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 		Transistor,
SI4435BDY-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4435BDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
SI4435DDY VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4435DDY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4435DY FAIRCHILD

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 		30V P-Channel PowerTrench MOSFET
SI4435DY INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm
SI4435DY ONSEMI

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 		30V P 沟道 PowerTrench® MOSFET -8.8A，20mΩ
SI4435DY UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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