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SI4435DDY-T1-E3 PDF预览

SI4435DDY-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 20:59:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 212K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4435DDY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：3.03配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：8.1 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4435DDY-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si4435DDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
I
D (A)d  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.024 at VGS = - 10 V  
0.035 at VGS = - 4.5 V  
- 11.4  
- 9.4  
- 30  
15 nC  
APPLICATIONS  
•
Load Switches  
•
Battery Switch  
SO-8  
S
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
G
D
D
Top View  
D
Ordering Information: Si4435DDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4435DDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 30  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 11.4  
- 9.1  
- 8.1a, b  
- 6.5a, b  
- 50  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
T
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 4.1  
- 2.0a, b  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
IAS  
Avalanche Current  
- 20  
L = 0.1 mH  
EAS  
Single-Pulse Avalanche Energy  
20  
mJ  
W
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
5.0  
3.2  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.5a, b  
1.6a, b  
- 55 to 150  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
38  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
t ≤ 10 s  
Steady State  
50  
25  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
20  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
d. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 68841  
S09-0863-Rev. C, 18-May-09  
www.vishay.com  
1
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SI4435DDY-T1-E3 替代型号

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