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SI4435DYTRPBF

更新时间： 2024-09-16 20:08:43
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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SI4435DYTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.13其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4435DYTRPBF 数据手册

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PD- 93768A  
Si4435DY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
A
1
2
8
D
S
S
VDSS = -30V  
7
D
l Available in Tape & Reel  
3
4
6
S
D
5
G
D
RDS(on) = 0.020Ω  
Top View  
Description  
These P-channel HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve the extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit provides the designer with an  
extremely efficient device for use in battery and load  
management applications..  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of power  
applications. With these improvements, multiple devices  
can be used in an application with dramatically reduced  
board space. The package is designed for vapor phase,  
infrared, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
-30  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-8.0  
-6.4  
A
-50  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
Power Dissipation  
1.6  
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
10/14/99  
12345678

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SI4435DYTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4435DYPBF INFINEON

类似代替

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SI4435DY INFINEON

类似代替

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