5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF PDF预览

SI4435DYTRPBF

更新时间： 2024-11-06 20:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4435DYTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.13其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4435DYTRPBF 数据手册

 浏览型号SI4435DYTRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4435DYTRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4435DYTRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4435DYTRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4435DYTRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4435DYTRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD- 93768A  
Si4435DY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
A
1
2
8
D
S
S
VDSS = -30V  
7
D
l Available in Tape & Reel  
3
4
6
S
D
5
G
D
RDS(on) = 0.020Ω  
Top View  
Description  
These P-channel HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve the extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit provides the designer with an  
extremely efficient device for use in battery and load  
management applications..  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of power  
applications. With these improvements, multiple devices  
can be used in an application with dramatically reduced  
board space. The package is designed for vapor phase,  
infrared, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
-30  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-8.0  
-6.4  
A
-50  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
Power Dissipation  
1.6  
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
10/14/99  
12345678

中文翻译

下载PDF

SI4435DYTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4435DYPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
SI4435DY INFINEON

类似代替

 Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm

与SI4435DYTRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si4435FDY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI4436DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4436DY INTERSIL

获取价格

 		ISL6844 Reference Design: ISL6844EVAL3Z
SI4436DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4436DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Si4438 SILICON

获取价格

 		Low active power consumption
SI4438-C SILICON

获取价格

 		Low active power consumption
SI4438-C2A-GM SILICON

获取价格

 		Telecom Circuit, 1-Func, LEAD FREE, MO-220VGGD-8, QFN-20
SI4438-C2A-GMR SILICON

获取价格

 		Telecom Circuit, 1-Func, LEAD FREE, MO-220VGGD-8, QFN-20

与SI4435DYTRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证