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SI4433DY-E3

更新时间： 2025-08-19 14:35:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 60K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4433DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.9 A最大漏极电流 (ID)：2.9 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4433DY-E3 数据手册

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Si4433DY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Fast Switching  
D 100% Rg Tested  
0.110 @ V = −4.5 V  
−3.9  
−3.2  
−2.6  
GS  
−20  
0.160 @ V = −2.5 V  
GS  
APPLICATION  
0.240 @ V = −1.8 V  
GS  
D DC-DC Conversion  
D Asynchronous Buck Converter  
D Voltage Inverter  
S
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
D
Ordering Information: Si4433DY  
Si4433DY-—E3 (Lead (Free)  
P-Channel MOSFET  
Si4433DYT1 (with Tape and Reel)  
Si4433DY-T1—E3 (Lead Free with Tape and Reel)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−20  
DS  
V
V
GS  
"8  
T
= 25_C  
= 85_C  
−2.9  
−2.1  
−3.9  
−2.8  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−10  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
−2.1  
2.5  
−1.2  
1.4  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
0.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
40  
75  
19  
50  
90  
25  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71663  
S-40932—Rev. C, 17-May-04  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI4433DY-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4433DYT1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2900 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOP-8, FET General Purpose
Si4434ADY VISHAY

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 		N-Channel 250 V (D-S) MOSFET
SI4434DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
SI4434DY-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
SI4434DY-RC VISHAY

获取价格

 		R-C Thermal Model Parameters
SI4434DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
SI4434DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4434DY_05 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
SI4435BDY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4435BDY VBSEMI

获取价格

 		漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):9A;最大导通阻抗Ron(mΩ):18

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