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SI4434DY-E3

更新时间： 2024-11-04 22:09:51

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威世 - VISHAY		/
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5页	71K
描述
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET

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SI4434DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4434DY-E3 数据手册

Si4434DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 250-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D PWM-OptimizedTrenchFETr Power MOSFET

D 100% R_gTested

D Avalanche Tested

APPLICATIONS

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Primary Side Switch In:

0.155 @ V = 10 V

3.0

2.9

− Telecom Power Supplies

− Distributed Power Architectures

− Miniature Power Modules

250

0.162 @ V = 6.0 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4434DY—E3

Si4434DY-T1—E3 (with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

250

"20

= 25_C

= 70_C

3.0

2.4

2.1

1.7

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Avalanche Current

2.6

1.3

L = 0.1 mH

Single Pulse Avalanche Energy

8.4

= 25_C

= 70_C

3.1

2.0

1.56

1.0

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72562

S-32556—Rev. B, 15-Dec-03

www.vishay.com

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