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SI4435DY_NL

更新时间： 2024-11-19 21:16:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 88K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4435DY_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.8 A最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4435DY_NL 数据手册

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October 2001  
SI4435DY  
30V P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process. It has been optimized for power management  
applications requiring a wide range of gave drive  
voltage ratings (4.5V – 25V).  
· –8.8 A, –30 V  
RDS(ON) = 20 mW @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4.5 V  
· Low gate charge (17nC typical)  
· Fast switching speed  
Applications  
· Power management  
· Load switch  
· High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
· Battery protection  
· High power and current handling capability  
D  
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
SO-8  
G
S
S
S
Pin 1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
–30  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
A
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–8.8  
–50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
W
1.2  
1
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
SI4435DY  
SI4435DY  
13’’  
12mm  
2500 units  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
SI4435DY Rev D1(W)  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4435DYPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
SI4435DY-REVA VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
SI4435DY-T1-A-E3 VISHAY

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