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SI4431BDY-T1

更新时间： 2024-09-13 20:45:59

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威世 - VISHAY		/
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6页	94K
描述
Transistor

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SI4431BDY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4431BDY-T1 数据手册

Si4431BDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

•

PRODUCT SUMMARY

TrenchFET^®Power MOSFETs

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 7.5

- 5.8

Pb-free

0.030 at V_GS= - 10 V

0.050 at V_GS= - 4.5 V

Available

- 30

RoHS*

COMPLIANT

SO-8

Top View

Ordering Information:

Si4431BDY-T1

Si4431BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 sec

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 30

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 7.5

- 6.0

- 5.7

- 4.6

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 30

- 2.1

2.5

- 1.2

1.5

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

1.6

0.9

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 72092

S-70315-Rev. B, 12-Feb-07

www.vishay.com

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