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SI4430DY

更新时间： 2024-09-12 22:36:27

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威世 - VISHAY		/
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4页	44K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4430DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.85	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	子类别：	FET General Purpose Power
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4430DY 数据手册

Si4430DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.004 (typ)@ V = 10 V

"23

"17

0.008 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

"23

"19

"15

"12

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

"60

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.9

3.5

2.2

1.3

1.6

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 70852

S-03662—Rev. C, 14-Apr-03

www.vishay.com

2-1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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