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Datasheet > SI4430BDY-T1-GE3
SI4430BDY-T1-GE3 PDF预览

SI4430BDY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-13 19:21:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 167K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4430BDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.08
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4430BDY-T1-GE3 数据手册

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Si4430BDY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
20  
Qg (Typ.)  
Available  
0.0045 at VGS = 10 V  
0.006 at VGS = 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
100 % Rg Tested  
30  
24  
17  
SO-8  
D
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4430BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4430BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
20  
16  
14  
11  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
60  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
2.7  
1.40  
IAS  
EAS  
40  
80  
L = 0.1 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.0  
2.0  
1.6  
1.0  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
34  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
41  
80  
19  
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)a  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
67  
°C/W  
RthJF  
15  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 73184  
S09-0228-Rev. D, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
12345678

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SI4430BDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4430BDY-T1-E3 VISHAY

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 		Telecom Circuit, 1-Func, QFN-20

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