SI4425DY

更新时间： 2024-01-23 00:43:54

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页	120K
描述
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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SI4425DY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4425DY 数据手册

January 2001

Si4425DY

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced

using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench

process that has been especially tailored to minimize

the on-state resistance and yet maintain low gate charge

for superior switching performance.

-11 A, -30 V. R_DS(ON)= 0.014 W @ V_GS= -10 V,

R_DS(ON)= 0.020 W @ V_GS= -4.5 V.

Low gate charge (30nC typical).

High performance trench technology for extremely low

R_DS(ON)

These devices are well suited for notebook computer

applications: load switching and power management,

battery charging circuits, and DC/DC conversion.

High power and current handling capability.

SuperSOT^TM-6

SO-8

SOT-223

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Si4425DY

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-30

±20

(Note 1a)

-11

-50

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

2.5

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

Si4425DY Rev.A

12 3 4 5

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