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SI4427BDY-T1-E3

更新时间： 2024-02-01 23:13:20

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	165K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4427BDY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	3.05
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	9.7 A
最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4427BDY-T1-E3 数据手册

Si4427BDY

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 12.6

- 11.5

- 9.2

Definition

0.0105 at V_GS= - 10 V

0.0125 at V_GS= - 4.5 V

0.0195 at V_GS= - 2.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFETs

- 30

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4427BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si4427BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

- 30

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 12.6

- 10.1

- 9.7

- 7.7

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

- 50

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 2.5

2.5

- 1.3

1.5

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

1.6

0.9

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

Document Number: 72295

S09-0764-Rev. D, 04-May-09

www.vishay.com

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SI4427BDY-T1-E3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4425DDY-T1-GE3	VISHAY	功能相似	TRANSISTOR 13000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI4425BDY-T1-E3	VISHAY	功能相似	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SI4427BDY-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4427DY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427DY_05	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427DY-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4429EDY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4429EDY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4429EDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4430	SILICON	获取价格	Silicon Laboratonies SI4432/31/30 highly-integrated, single chip wireless ISM transceiver
SI4430-B1	SILICON	获取价格	Si4430/31/32 ISM TRANSCEIVER
SI4430-B1-FM	SILICON	获取价格	Si4430/31/32 ISM TRANSCEIVER

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