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SI4427DY-T1-E3

更新时间： 2024-01-08 17:08:25
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4427DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：9.4 A最大漏源导通电阻：0.0105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4427DY-T1-E3 数据手册

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Si4427DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D TrenchFETr Power MOSFETs  
0.0105 @ V = –10 V  
–13.3  
–12.2  
–9.8  
GS  
–30  
0.0125 @ V = –4.5  
V
V
GS  
0.0195 @ V = –2.5  
GS  
S
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
D
Top View  
Ordering Information: Si4427DY-T1  
Si4427DY-T1–E3 (Lead (Pb)-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
–30  
DS  
V
"12  
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
–9.4  
–7.5  
–13.3  
–10.7  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
–50  
DM  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
–2.5  
3.0  
–1.3  
1.5  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.9  
0.9  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
32  
68  
15  
42  
85  
18  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71308  
S-51452—Rev. B, 01-Aug-05  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI4427DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4429EDY VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4429EDY-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4429EDY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4430 SILICON

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 		Silicon Laboratonies SI4432/31/30 highly-integrated, single chip wireless ISM transceiver
SI4430-B1 SILICON

获取价格

 		Si4430/31/32 ISM TRANSCEIVER
SI4430-B1-FM SILICON

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 		Si4430/31/32 ISM TRANSCEIVER
SI4430-B1-FMR SILICON

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 		Telecom Circuit, 1-Func, QFN-20
SI4430BDY VISHAY

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SI4430BDY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SI4430BDY-T1-GE3 VISHAY

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