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SI4425DY-E3

更新时间： 2024-02-18 01:03:05

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威世 - VISHAY		/
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5页	78K
描述
Transistor,

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SI4425DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI4425DY-E3 数据手册

Si4425DY

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

FEATURES

0.014 @ V = −10 V

−11

D TrenchFETr Power MOSFET

−30

Pb-free

Available

0.023 @ V = −4.5

−8.5

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4425DY

Si4425DY-T1 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

Si4425DY—E3 (Lead (Pb)-Free)

Si4425DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−30

"20

= 25_C

= 70_C

−8

−11

Continuous Drain Current (T = 150_C)

−8.7

−6.5

Pulsed Drain Current

−50

continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.7

3.0

−1.36

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.9

0.95

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71817

S-50402—Rev. F, 07-Mar-05

www.vishay.com

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