5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI4426DY-T1-GE3
SI4426DY-T1-GE3 PDF预览

SI4426DY-T1-GE3

更新时间： 2024-01-04 10:38:52
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 165K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4426DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4426DY-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI4426DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4426DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4426DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4426DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4426DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4426DY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
Si4426DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
ꢀ.5  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFETs  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.025 at VGS = 4.5 V  
0.035 at VGS = 2.5 V  
•
•
20  
7.1  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4426DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4426DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
20  
12  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
ꢀ.5  
6.ꢀ  
6.5  
5.2  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
40  
2.1  
2.5  
1.6  
2.1  
TA = 25 °C  
1.5  
0.9  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
3ꢀ  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
50  
ꢀ5  
25  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
70  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
20  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71107  
S09-0767-Rev. D, 04-May-09  
www.vishay.com  
1
1234567

中文翻译

下载PDF

与SI4426DY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4427BDY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427BDY-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor,
SI4427BDY-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427BDY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4427DY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427DY_05 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427DY-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4429EDY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4429EDY-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

与SI4426DY-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证