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SI4427BDY-E3

更新时间： 2024-02-09 08:58:23

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威世 - VISHAY		/
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6页	85K
描述
Transistor,

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SI4427BDY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI4427BDY-E3 数据手册

Si4427BDY

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.0105 @ V = −10 V

−12.6

−11.5

−9.2

−30

0.0125 @ V = −4.5

0.0195 @ V = −2.5

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4427BDY

P-Channel MOSFET

Si4427BDY-T1 (with Tape and Reel)

Si4427BDY—E3 (Lead (Pb)-Free)

Si4427BDY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free) with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−30

"12

= 25_C

= 70_C

−9.7

−7.7

−12.6

−10.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−50

continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.5

2.5

−1.3

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.6

0.9

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72295

S-50129—Rev. B, 24-Jan-05

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI4427DY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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