Datasheet > SI4425DYD84Z

SI4425DYD84Z

更新时间： 2024-01-19 05:13:22

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	119K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4425DYD84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4425DYD84Z 数据手册

January 2001

Si4425DY

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced

using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench

process that has been especially tailored to minimize

the on-state resistance and yet maintain low gate charge

for superior switching performance.

-11 A, -30 V. R_DS(ON)= 0.014 W @ V_GS= -10 V,

R_DS(ON)= 0.020 W @ V_GS= -4.5 V.

Low gate charge (30nC typical).

High performance trench technology for extremely low

R_DS(ON)

These devices are well suited for notebook computer

applications: load switching and power management,

battery charging circuits, and DC/DC conversion.

High power and current handling capability.

SuperSOT^TM-6

SO-8

SOT-223

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Si4425DY

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-30

±20

(Note 1a)

-11

-50

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

2.5

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

Si4425DY Rev.A

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SI4425DYD84Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4425DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor,
SI4425DYF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SI4425DYS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SI4425DY-T1	VISHAY	获取价格	Transistor,
Si4425FDY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI4426DY	VISHAY	获取价格	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4426DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4426DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4427BDY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4427BDY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor,

与SI4425DYD84Z相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

45
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

33
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

72
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI4425DYD84Z

SI4425DYD84Z 技术参数

SI4425DYD84Z 数据手册

与SI4425DYD84Z相关器件

与SI4425DYD84Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI4425DYD84Z

SI4425DYD84Z 技术参数

SI4425DYD84Z 数据手册

与SI4425DYD84Z相关器件

与SI4425DYD84Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？