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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4425BDY-T1
SI4425BDY-T1 PDF预览

SI4425BDY-T1

更新时间： 2024-02-01 08:31:30
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4425BDY-T1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.8 A最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4425BDY-T1 数据手册

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Si4425BDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
D Advanced High Cell Density  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Process  
Pb-free  
Available  
0.012 @ V = −10 V  
−11.4  
−9.1  
GS  
APPLICATIONS  
−30  
0.019 @ V = −4.5  
V
GS  
D Load Switches  
− Notebook PCs  
− Desktop PCs  
S
SO-8  
S
1
D
D
D
D
G
8
7
6
5
S
S
2
3
4
G
D
Top View  
Ordering Information: Si4425BDY  
P-Channel MOSFET  
Si4425BDY—T1 (with Tape and Reel)  
Si4425BDY—E3 (Lead (Pb)-Free)  
Si4425BDY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−30  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
−8.8  
−7.0  
−11.4  
−9.1  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−50  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
−2.1  
2.5  
−1.3  
1.5  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.6  
0.9  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
40  
70  
15  
50  
85  
18  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72000  
S-50366—Rev. D, 28-Feb-05  
www.vishay.com  
1
123456

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与SI4425BDY-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4425BDY-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4425BDY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
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