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Datasheet > SI4425BDY-T1-GE3
SI4425BDY-T1-GE3 PDF预览

SI4425BDY-T1-GE3

更新时间： 2024-02-22 22:28:50
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 165K
描述
TRANSISTOR 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4425BDY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.09配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.8 A
最大漏极电流 (ID)：8.8 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4425BDY-T1-GE3 数据手册

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Si4425BDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 11.4  
- 9.1  
Definition  
0.012 at VGS = - 10 V  
0.019 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Advanced High Cell Density Process  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 30  
APPLICATIONS  
•
Load Switches  
- Notebook PCs  
- Desktop PCs  
SO-8  
S
S
S
S
G
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
D
D
Top View  
D
Ordering Information: Si4425BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4425BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 30  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 11.4  
- 9.1  
- 8.8  
- 7.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 50  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 2.1  
2.5  
- 1.3  
1.5  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.6  
0.9  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
40  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
50  
85  
18  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
70  
°C/W  
RthJF  
15  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72000  
S09-0767-Rev. E, 04-May-09  
www.vishay.com  
1
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SI4425BDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6679AZ ONSEMI

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TPS1100D TI

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
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 		暂无描述
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