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SI4421DY-T1-GE3 PDF预览

SI4421DY-T1-GE3

更新时间： 2024-02-20 13:02:38
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 162K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4421DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.00875 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4421DY-T1-GE3 数据手册

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Si4421DY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 14  
•
0.00875 at VGS = - 4.5 V  
0.01075 at VGS = - 2.5 V  
0.0135 at VGS = - 1.8 V  
RoHS  
COMPLIANT  
- 20  
- 12  
APPLICATIONS  
•
Game Station  
- Load Switch  
- 11  
SO-8  
S
S
S
G
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
D
P-Channel MOSFET  
Ordering Information:  
Si4421DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4421DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 14  
- 10  
- 8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
- 11.5  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
- 40  
- 2.7  
3.0  
- 1.36  
1.5  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.9  
0.95  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
42  
85  
21  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Steady State  
70  
°C/W  
RthJF  
16  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72114  
S-82282-Rev. C, 22-Sep-08  
www.vishay.com  
1
12345678

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SI4421DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4421-ICCC16 SILICON

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 		Telecom Circuit, 1-Func, PDSO16, TSSOP-16
SI4423DY VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4423DY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
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