SI4423DY

更新时间： 2024-11-14 22:43:15

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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5页	43K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI4423DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4423DY 数据手册

Si4423DY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.0075 @ V = -4.5 V

-14

-13

-12

D Game Station

-20

0.009 @ V = -2.5

- Load Switch

0.0115 @ V = -1.8

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

= 25_C

= 70_C

-10

-8

-14

Continuous Drain Current (T = 150_C)

-11.5

Pulsed Drain Current

-50

continuous Source Current (Diode Conduction)

-2.7

3.0

-1.36

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.9

0.95

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72085

S-03540—Rev. B, 24-Mar-03

www.vishay.com

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