SI4425BDY

更新时间： 2024-02-25 20:50:35

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描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4425BDY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI4425BDY 数据手册

Si4425BDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Advanced High Cell Density Process

APPLICATIONS

0.012 @ V

= -10 V

-11.4

- 9.1

-30

0.019 @ V = -4.5

D Load Switches

- Notebook PCs

- Desktop PCs

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"20

= 25_C

= 70_C

-8.8

-7.0

- 11.4

- 9.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-50

continuous Source Current (Diode Conduction)

-2.1

2.5

1.6

-1.3

1.5

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72000

S-21862—Rev. B, 21-Oct-02

www.vishay.com

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