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SI4421DY-T1

更新时间： 2024-11-15 14:31:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 99K
描述
Transistor

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SI4421DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI4421DY-T1 数据手册

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New Product  
Si4421DY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 14  
Pb-free  
0.00875 at VGS = - 4.5 V  
0.01075 at VGS = - 2.5 V  
0.0135 at VGS = - 1.8 V  
Available  
APPLICATIONS  
RoHS*  
- 12  
- 20  
•
Game Station  
- Load Switch  
COMPLIANT  
- 11  
SO-8  
S
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
D
Ordering Information:  
Si4421DY-T1  
Si4421DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 14  
- 10  
- 8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
- 11.5  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
- 40  
- 2.7  
3.0  
- 1.36  
1.5  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.9  
0.95  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 sec  
Steady State  
Steady State  
42  
85  
21  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
70  
°C/W  
RthJF  
16  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72114  
S-70315-Rev. B, 12-Feb-07  
www.vishay.com  
1
123456

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SI4421DY-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4421DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4421DY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SI4421DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SI4421-ICCC16 SILICON

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 		Telecom Circuit, 1-Func, PDSO16, TSSOP-16
SI4423DY VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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