5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI4421DY-T1
SI4421DY-T1 PDF预览

SI4421DY-T1

更新时间： 2024-02-07 07:38:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 99K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4421DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI4421DY-T1 数据手册

 浏览型号SI4421DY-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4421DY-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4421DY-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4421DY-T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4421DY-T1的Datasheet PDF文件第6页 
New Product  
Si4421DY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 14  
Pb-free  
0.00875 at VGS = - 4.5 V  
0.01075 at VGS = - 2.5 V  
0.0135 at VGS = - 1.8 V  
Available  
APPLICATIONS  
RoHS*  
- 12  
- 20  
•
Game Station  
- Load Switch  
COMPLIANT  
- 11  
SO-8  
S
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
D
Ordering Information:  
Si4421DY-T1  
Si4421DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 14  
- 10  
- 8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
- 11.5  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
- 40  
- 2.7  
3.0  
- 1.36  
1.5  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.9  
0.95  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 sec  
Steady State  
Steady State  
42  
85  
21  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
70  
°C/W  
RthJF  
16  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72114  
S-70315-Rev. B, 12-Feb-07  
www.vishay.com  
1
123456

中文翻译

下载PDF

SI4421DY-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4421DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-

与SI4421DY-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4421DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SI4421DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SI4421-ICCC16 SILICON

获取价格

 		Telecom Circuit, 1-Func, PDSO16, TSSOP-16
SI4423DY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4423DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SI4423DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
SI4425BDY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4425BDY-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4425BDY-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4425BDY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SI4421DY-T1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证