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SI4420DYTRPBF PDF预览

SI4420DYTRPBF

更新时间： 2024-11-15 19:42:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 118K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8

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SI4420DYTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：12.5 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4420DYTRPBF 数据手册

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PD - 95729  
Si4420DYPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l N-Channel MOSFET  
l Low On-Resistance  
l Low Gate Charge  
l Surface Mount  
l Logic Level Drive  
l Lead-Free  
A
A
D
1
2
3
4
8
S
S
S
G
VDSS = 30V  
7
D
6
D
5
D
RDS(on) = 0.009Ω  
Top View  
Description  
This N-channel HEXFET® power MOSFET is produced  
using International Rectifier's advanced HEXFET power  
MOSFET technology. The low on-resistance and low gate  
charge inherent to this technology make this device ideal  
for low voltage or battery driven power conversion  
applications  
The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced  
thermal characteristics that allow power dissipation of  
greater that 800mW in typical board mount applications.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
30  
±12.5  
±10  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
±50  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation ƒ  
Power Dissipation ƒ  
2.5  
W
1.6  
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
mJ  
V
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Gate-to-Source Voltage  
400  
VGS  
± 20  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
8/11/04  
12345678

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SI4420DYTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4420DYPBF INFINEON

完全替代

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