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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4420DY
SI4420DY PDF预览

SI4420DY

更新时间： 2024-11-14 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET

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SI4420DY 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI4420DY 数据手册

  
Specification Comparison  
Vishay Siliconix  
Si4420BDY vs. Si4420DY  
Description: N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET  
Package:  
Pin Out:  
SO-8  
Identical  
Part Number Replacements:  
Si4420BDY-T1-E3 Replaces Si4420DY-T1-E3  
Si4420BDY-T1-E3 Replaces Si4420DY-T1  
Summary of Performance:  
The Si4420BDY is the replacement to the original Si4420DY; both parts perform identically, including limits to the parametric  
tables below.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC UNLESS OTHERWISE NOTED)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Si4420BDY  
Si4420DY  
Unit  
Drain-Source Voltage  
30  
30  
V
Gate-Source Voltage  
+20  
13.5  
10.8  
+20  
13.5  
10.8  
VGS  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
ID  
A
50  
50  
IDM  
IS  
Continuous Source Current  
(MOSFET Diode Conduction)  
2.3  
2.7  
2.5  
1.6  
3.0  
1.9  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Power Dissipation  
W
PD  
Operating Junction & Storage Temperature Range  
Maximum Junction-to-Ambient  
-55 to 150  
50  
-55 to 150  
42  
°C  
Tj & Tstg  
RthJA  
°C/W  
SPECIFICATIONS (TJ = 25OC UNLESS OTHERWISE NOTED)  
Si4420BDY  
Si4420DY  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Max  
Static  
Gate-Threshold Voltage  
1.0  
3.0  
+100  
1
1.0  
2.0  
3.0  
+100  
1
V
nA  
µA  
A
VGS(th)  
IGSS  
Gate-Body Leakage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Current  
IDSS  
30  
30  
VGS = 10 V  
VGS= 10 V  
ID(on)  
0.007  
0.009  
0.0085  
0.011  
0.0075  
0.010  
0.009  
0.013  
Drain-Source On-Resistance  
Ω
rDS(on)  
VGS = 4.5 V  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
50  
50  
S
V
gfs  
0.75  
1.1  
NS  
1.1  
VSD  
Dynamic  
Total Charge  
Qg  
Qgt  
Qgs  
Qgd  
Rg  
16  
31  
6.6  
4.0  
1.0  
25  
50  
29  
58  
12  
9.5  
2.1  
45  
90  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Gate Resistance  
nC  
0.5  
1.5  
0.5  
4.6  
Ω
Switching  
15  
11  
40  
12  
30  
25  
18  
60  
20  
50  
22  
13  
82  
30  
50  
35  
20  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Time*  
125  
45  
ns  
Turn-Off Time*  
Source-Drain Reverse Recovery Time  
NS denotes parameter not specified  
75  
trr  
Document Number 74060  
06-May-05  
www.vishay.com  
1

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与SI4420DY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4420DY,518 NXP

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 		SI4420DY
SI4420DY/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 12.5 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FE
SI4420DYD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4420DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4420DYL86Z FAIRCHILD

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SI4420DYPBF INFINEON

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 		暂无描述
SI4420DYS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4420DY-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4420DYTRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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