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SI4418DY-T1-GE3 PDF预览

SI4418DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 19:19:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 115K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0023A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4418DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：0.0023 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4418DY-T1-GE3 数据手册

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Si4418DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
3
Definition  
0.130 at VGS = 10 V  
0.142 at VGS = 6.0 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
200  
2.8  
APPLICATIONS  
Primary Side Switch  
•
SO-8  
D
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
S
Ordering Information:  
Si4418DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4418DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
200  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 85 °C  
3
2.3  
1.6  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
2.1  
A
IDM  
IAS  
EAS  
IS  
Pulsed Drain Current  
12  
6
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
Single Avalanche Energy (Duty Cycle ≤ 1 %)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.8  
mJ  
A
2.1  
2.5  
1.3  
1.25  
1.5  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.8  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
36  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
50  
85  
20  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
71  
°C/W  
RthJF  
15  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72513  
S09-0322-Rev. D, 02-Mar-09  
www.vishay.com  
1
123456

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SI4418DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4418DY-T1-E3 VISHAY

完全替代

 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4490DY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 TRANSISTOR 2850 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI4410BDY-T1-E3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4420BDY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4420BDY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 9500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
SI4420BDY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 9500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
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