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SI4416DY

更新时间： 2024-02-03 17:51:32

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
13页	238K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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SI4416DY 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.009 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	50 pF	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4416DY 数据手册

Si4416DY

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

M3D315

Rev. 01 — 05 June 2001

Product data

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

Si4416DY in SOT96-1 (SO8).

2. Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ TrenchMOS™ technology.

3. Applications

■ DC to DC convertors

■ DC motor control

■ Lithium-ion battery applications

■ Notebook PC

■ Portable equipment applications.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT96-1, simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

5,6,7,8

drain (d)

MBB076

Top view

MBK187

SOT96-1 (SO8)

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4416DY/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET G
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SI4418DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0023A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, M