5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4416DY_RC
SI4416DY_RC PDF预览

SI4416DY_RC

更新时间： 2024-01-13 07:27:40
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
3页 204K
描述
R-C Thermal Model Parameters

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4416DY_RC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.009 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：50 pFJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4416DY_RC 数据手册

 浏览型号SI4416DY_RC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4416DY_RC的Datasheet PDF文件第3页 
Si4416DY_RC  
Vishay Siliconix  
R-C Thermal Model Parameters  
DESCRIPTION  
The parametric values in the R-C thermal model have  
been derived using curve-fitting techniques. These  
techniques are described in "A Simple Method of  
Generating Thermal Models for a Power MOSFET"[1].  
When implemented in P-Spice, these values have  
matching characteristic curves to the Single Pulse  
Transient Thermal Impedance curves for the  
MOSFET.  
R-C values for the electrical circuit in the Foster/Tank  
and Cauer/Filter configurations are included.  
Note:  
For a detailed explanation of implementing these values in  
P-SPICE, refer to Application Note AN609 Thermal Simulations Of  
Power MOSFETs on P-SPICE Platform.  
R-C THERMAL MODEL FOR TANK CONFIGURATION  
R-C VALUES FOR TANK CONFIGURATION  
Thermal Resistance (°C/W)  
Junction to  
RT1  
Ambient  
6.4825  
Case  
N/A  
N/A  
N/A  
N/A  
Foot  
1.1102  
4.7416  
7.6570  
6.4989  
RT2  
28.7773  
27.8777  
26.9568  
RT3  
RT4  
Thermal Capacitance (Joules/°C)  
Junction to  
CT1  
Ambient  
7.1415 m  
54.8961 m  
3.4923  
Case  
N/A  
N/A  
N/A  
N/A  
Foot  
1.4261 m  
95.7173 m  
189.0677 m  
6.3227 m  
CT2  
CT3  
CT4  
2.1934  
This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate data  
sheet of the same number for guaranteed specification limits.  
Document Number: 74090  
Revision 31-Aug-05  
www.vishay.com  
1
123

中文翻译

下载PDF

与SI4416DY_RC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4416DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4416DYF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4416DY-T1 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4418DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY_05 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0023A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
Si4420 SILICON

获取价格

 		Si4420 EZRadioPRO ISM 波段采用 TSSOP16 封装。
SI4420BDY VISHAY

获取价格

 		N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET

与SI4416DY_RC相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证