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SI4416DY-E3

更新时间： 2024-11-15 21:10:19

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	57K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4416DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4416DY-E3 数据手册

Si4416DY

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.018 @ V = 10 V

"9.0

"7.3

0.028 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

"9.0

"7.2

"50

2.1

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

2.5

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70752

S-56945—Rev. C, 23-Nov-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4416DYF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4416DY-T1	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4418DY	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY_05	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0023A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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