Datasheet > SI4412DYS62Z

SI4412DYS62Z

更新时间： 2024-11-15 15:51:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	267K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4412DYS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4412DYS62Z 数据手册

June 1999

Si4412DY*

Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using

Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process

that has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

7 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.028 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.042 Ω @ V_GS= 4.5 V

Low gate charge.

Fast switching speed.

This device is well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

High power and current handling capability.

Battery switch

Load switch

Motor controls

62ꢀꢁ

$EVROXWHꢀ0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀꢀ

6\PERO

3DUDPHWHU

5DWLQJV

8QLWV

7KHUPDOꢀ&KDUDFWHULVWLFV

3DFNDJHꢀ2XWOLQHVꢀDQGꢀ2UGHULQJꢀ,QIRUPDWLRQ

'HYLFHꢀ0DUNLQJ

'HYLFH

5HHOꢀ6L]H

7DSHꢀ:LGWK

4XDQWLW\

ꢀꢀꢀꢀꢁꢀ

ꢂ

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

Si4412DY Rev. A

12 3

中文翻译

下载PDF

与SI4412DYS62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4412DY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4412DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
Si4413ADY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4413ADY_RC	VISHAY	获取价格	R-C Thermal Model Parameters
SI4413ADY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI4413ADY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI4413DY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4413DY-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SI4416DY	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel MOSFET
SI4416DY	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET