Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4412DY-T1-E3

SI4412DY-T1-E3

更新时间： 2024-02-19 08:31:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	229K
描述
N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET

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SI4412DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SI4412DY-T1-E3 数据手册

Si4412DY

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

7.0

0.028 at V_GS= 10 V

0.042 at V_GS= 4.5 V

5.8

•

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4412DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si4412DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

_A= 70 °C

7.0

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

5.8

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

2.3

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

2.5

Maximum Power Dissipation^a

P_D

1.6

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

°C/W

Notes:

a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.

Document Number: 70154

S09-0705-Rev. D, 27-Apr-09

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI4413ADY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI4413ADY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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