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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4416DY/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET G |
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| SI4416DY_RC | VISHAY |
获取价格 |
R-C Thermal Model Parameters |
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| SI4416DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI4416DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SI4416DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4418DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
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| SI4418DY_05 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
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| SI4418DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4418DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4418DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0023A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
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