SI4416DY

更新时间： 2024-01-21 18:40:42

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
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4页	44K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4416DY 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.009 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	50 pF	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4416DY 数据手册

Si4416DY

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.018 @ V = 10 V

9.0

7.3

0.028 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4416DY

Si4416DY-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel

MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

9.0

7.5

6.9

5.6

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.1

2.5

1.6

1.2

1.4

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typ

Max

Unit

t v 10 sec

Steady-State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72266

S-31062—Rev. E, 26-May-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4416DY/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET G
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