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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4413DY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4413DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SI4416DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel MOSFET |
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| SI4416DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4416DY | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SI4416DY | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| SI4416DY/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET G |
|
| SI4416DY_RC | VISHAY |
获取价格 |
R-C Thermal Model Parameters |
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| SI4416DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI4416DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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