SI4416DY

更新时间： 2024-11-14 22:33:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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3页	264K
描述
Single N-Channel MOSFET

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SI4416DY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SOIC-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4416DY 数据手册

August 1999

Si4416DY*

Single N-Channel MOSFET

General Description

Features

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using

Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process

that has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

9 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.018 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.028 Ω @ V_GS= 4.5 V

Low gate charge.

Fast switching speed.

This device is well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

High power and current handling capability.

Battery switch

Load switch

Motor controls

62ꢀꢁ

$EVROXWHꢀ0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀꢀ

6\PERO

3DUDPHWHU

5DWLQJV

8QLWV

7KHUPDOꢀ&KDUDFWHULVWLFV

3DFNDJHꢀ2XWOLQHVꢀDQGꢀ2UGHULQJꢀ,QIRUPDWLRQ

'HYLFHꢀ0DUNLQJ

'HYLFH

5HHOꢀ6L]H

7DSHꢀ:LGWK

4XDQWLW\

ꢀꢀꢀꢀꢁꢀ

ꢂ

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

Si4416DY Rev. A

12 3

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与SI4416DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4416DY/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET G
SI4416DY_RC	VISHAY	获取价格	R-C Thermal Model Parameters
SI4416DY-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4416DYF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4416DY-T1	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4418DY	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY_05	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4418DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0023A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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