5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SOIC-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4416DY/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8, FET G |
|
| SI4416DY_RC | VISHAY |
获取价格 |
R-C Thermal Model Parameters |
|
| SI4416DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI4416DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| SI4416DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4418DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4418DY_05 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4418DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4418DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4418DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0023A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
