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SI4412DY-T1 PDF预览

SI4412DY-T1

更新时间： 2024-01-16 07:25:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4412DY-T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：2.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4412DY-T1 数据手册

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Si4412DY  
N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET  
Product Summary  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.028 @ V = 10 V  
"7.0  
"5.8  
GS  
30  
0.042 @ V = 4.5 V  
GS  
D D D  
D
SO-8  
S
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
G
Top View  
S
S
S
N-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
30  
"20  
"7.0  
"5.8  
"30  
2.3  
DS  
GS  
V
T
= 25 C  
= 70 C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150 C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
= 25 C  
= 70 C  
2.5  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
C
D
T
A
1.6  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
50  
C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70154.  
A SPICE Model data sheet is available for this product (FaxBack document #70552).  
Siliconix  
1
S-49534—Rev. C, 06-Oct-97  
12345

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SI4412DY-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMD4820NR2G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET
SI4412DY FAIRCHILD

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 Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

与SI4412DY-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4412DY-T1-E3 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
Si4413ADY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4413ADY_RC VISHAY

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 		R-C Thermal Model Parameters
SI4413ADY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SI4413ADY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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SI4416DY FAIRCHILD

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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