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SI4410DY-T1-A-E3

更新时间： 2024-02-18 03:07:34

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威世 - VISHAY		/
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4页	57K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4410DY-T1-A-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.26
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI4410DY-T1-A-E3 数据手册

Si4410DY

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)

(ꢀ )

I_D(A)

0.0135 @ V = 10 V

0.020 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4410DY-REVA

N-Channel MOSFET

Si4410DY-T1-REVA (with Tape and Reel)

Si4410DY-REVA-E3 (Lead free)

Si4410DY-T1-A-E3 (Lead free with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.3

= 25_C

= 70_C

2.5

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 71726

S-40838—Rev. L, 03-May-04

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI4410DYTRPBF	INFINEON	获取价格	N-Channel MOSFET
SI4411DY	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFE
SI4411DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
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