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SI4411DY-E3

更新时间： 2024-01-06 05:18:29

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威世 - VISHAY		/
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Transistor

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SI4411DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI4411DY-E3 数据手册

Si4411DY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.010 @ V = -10 V

-13

-10

D Notebook

-30

0.0155 @ V = -4.5

- Load Switch

- Battery Switch

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4411DY

Si4411DY-T1 (with tape and reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

"20

= 25_C

= 70_C

-9

-13

Continuous Drain Current (T = 150_C)

-10.5

-7.5

Pulsed Drain Current

-50

continuous Source Current (Diode Conduction)

-2.7

3.0

-1.36

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.9

0.95

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72149

S-03539—Rev. B, 24-Mar-03

www.vishay.com

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