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SI4410DYTR PDF预览

SI4410DYTR

更新时间： 2024-01-24 19:06:46
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 97K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4410DYTR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.0135 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4410DYTR 数据手册

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PD - 91853C  
Si4410DY  
HEXFET® Power MOSFET  
l N-Channel MOSFET  
l Low On-Resistance  
l Low Gate Charge  
l Surface Mount  
A
A
D
1
2
3
4
8
S
S
VDSS = 30V  
7
D
6
S
D
l Logic Level Drive  
5
G
D
RDS(on) = 0.0135Ω  
Top View  
Description  
This N-channel HEXFET® Power MOSFET is produced  
using International Rectifier's advanced HEXFET power  
MOSFET technology. The low on-resistance and low gate  
charge inherent to this technology make this device ideal  
for low voltage or battery driven power conversion  
applications  
The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced  
thermal characteristics that allow power dissipation of  
greater that 800mW in typical board mount applications.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
30  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
±10  
±8.0  
A
±50  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation ƒ  
Power Dissipation ƒ  
2.5  
W
1.6  
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
V/ns  
mJ  
dv/dt  
EAS  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Gate-to-Source Voltage  
5.0  
400  
VGS  
± 20  
V
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
11/22/99  
12345678

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