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SI4410DY

更新时间: 2024-09-27 22:33:51
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 251K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

SI4410DY 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:PLASTIC, MS-012, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.13Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):10 A最大漏源导通电阻:0.0135 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:2元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SI4410DY 数据手册

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Si4410DY  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
M3D315  
Rev. 02 — 05 July 2001  
Product data  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology.  
Product availability:  
Si4410DY in SOT96-1 (SO8).  
2. Features  
Low on-state resistance  
Fast switching  
TrenchMOS™ technology.  
3. Applications  
DC to DC convertors  
DC motor control  
Lithium ion battery applications  
Notebook PC  
c
c
Portable equipment applications.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT96-1, simplified outline and symbol  
Pin  
Description  
source (s)  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
1,2,3  
4
d
s
8
5
5,6,7,8  
drain (d)  
g
1
4
MBB076  
Top view  
MBK187  
SOT96-1 (SO8)  
1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.  

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