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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS4897C
FDS4897C PDF预览

FDS4897C

更新时间： 2024-09-27 04:06:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 160K
描述
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS4897C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.35
Samacsys Description：FDS4897C, Dual N/P-channel MOSFET Transistor 40V, 8-Pin SOIC配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS4897C 数据手册

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November 2005  
FDS4897C  
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET  
General Description  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode  
power field effect transistors are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
•
Q1:  
N-Channel  
6.2A, 40V  
R
DS(on) = 29mΩ @ VGS = 10V  
RDS(on) = 36mΩ @ VGS = 4.5V  
•
Q2:  
–4.4A, –40V RDS(on) = 46mΩ @ VGS = –10V  
DS(on) = 63mΩ @ VGS = –4.5V  
P-Channel  
Application  
R
•
•
Inverter  
•
•
High power handling capability in a widely used  
surface mount package  
Power Supplies  
RoHS compliant  
Q2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
D1  
D1  
Q1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
40  
±20  
6.2  
20  
40  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
±20  
–4.4  
–20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
FDS4897C  
FDS4897C  
13”  
2500 units  
www.fairchildsemi.com  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS4897C Rev C(W)  
1234567...9

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FDS4897C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4897C ONSEMI

类似代替

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