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FDS4935F011

更新时间： 2024-02-24 00:38:46

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	247K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS4935F011 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS4935F011 数据手册

June 2001

FDS4935

Dual 30V P-Channel PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process. It has been optimized for power management

applications requiring a wide range of gave drive

voltage ratings (4.5V – 25V).

· –7 A, –30 V

R_DS(ON)= 23 mW @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 35 mW @ V_GS= –4.5 V

· Low gate charge (15nC typical)

· Fast switching speed

Applications

· Power management

· Load switch

· High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

· Battery protection

· High power and current handling capability

SO-8

G2 S

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

–30

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±25

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–7

–30

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

1.6

0.9

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +175

°C

Thermal Characteristics

R_qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS4935

13’’

12mm

2500 units

Ó2001 Fairchild Semiconductor International

FDS4935 Rev B1(W)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS4935L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4953	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS4953	MICROSEMI	获取价格	EVALUATION KIT
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FDS4953D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4953L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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