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FDS4935A PDF预览

FDS4935A

更新时间： 2024-09-28 11:12:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 246K
描述
双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-7A，23mΩ

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FDS4935A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.94
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：2725Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SO 8L NB (SOIC)Samacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4935A 数据手册

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MOSFET – Dual, P-Channel,  
POWERTRENCH  
30 V  
FDS4935A  
General Description  
This P−Channel MOSFET is a rugged gate version  
of ON Semiconductor’s advanced POWERTRENCH process. It has  
been optimized for power management applications requiring a wide  
range of gave drive voltage ratings (4.5 V – 20 V).  
www.onsemi.com  
®
D1  
D1  
D2  
D2  
Features  
• −7 A, −30 V. R  
G1  
S1  
G2  
S2  
= 23 mW @ V = −10 V  
GS  
= 35 mW @ V = −4.5 V  
GS  
DS(ON)  
R
DS(ON)  
SOIC8  
CASE 751EB  
• Low Gate Charge (15 nC Typical)  
• Fast Switching Speed  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• High Power and Current Handling Capability  
• This is a Pb−Free Device  
DS(ON)  
MARKING DIAGRAM  
FDS4935A  
ALYW  
Features  
• Power Management  
• Load Switch  
FDS4935A  
A
L
YW  
= Specific Device Code  
= Assembly Site  
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
• Battery Protection  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Gate−Source Voltage  
Ratings  
−30  
Unit  
V
ELECTRICAL CONNECTION  
V
DS  
V
GSS  
20  
V
5
6
7
8
4
3
2
1
I
D
Drain Current − Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
−7  
−30  
A
Q1  
Q2  
P
P
Power Dissipation for Dual Operation  
2
W
W
D
Power Dissipation  
for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
D
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient (Note 1a)  
78  
°C/W  
q
JA  
R
Thermal Resistance, Junction to  
Case (Note 1)  
40  
°C/W  
q
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
May, 2021 − Rev. 1  
FDS4935A/D  
1234567

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FDS4935A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6975 ONSEMI

类似代替

 双 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-6A，32mΩ
NTMD6N02R2G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
NTMD4N03R2G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 4 A, 30 V, N−Channel SO−8 Du

与FDS4935A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4935A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935BZ FAIRCHILD

获取价格

 		Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4935BZ ONSEMI

获取价格

 		双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-6.9A，22mΩ
FDS4935D84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935F011 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935L86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935L99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4953 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS4953 MICROSEMI

获取价格

 		EVALUATION KIT

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